1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V

1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0360€
50-99
0.0311€
100-199
0.0277€
200+
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1N4937, DO-41, DO-204AC, 1A, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. Carcaça: DO-41. Carcaça (padrão JEDEC): DO-204AC. Corrente direta (AV): 1A. Corrente direta [A]: 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..100uA. Corrente de pulso máx.: 30A. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Dirigindo corrente: 1A. Embalagem: Ammo Pack. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Função: Troca rápida para alta eficiência. Ism [A]: 33A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Propriedades do semicondutor: Comutação de alta velocidade. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 5uA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tempo de reação: 200ns, 250ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.3V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão limite: 1.2V, 1.3V. Tensão reversa máxima: 600V. Tipo de diodo: diodo retificador. Tipo de semicondutor: diodo. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 200 ns. [V]: 1.2V @ 1A. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 12/12/2025, 03:22

Documentação técnica (PDF)
1N4937
45 parâmetros
Carcaça
DO-41
Carcaça (padrão JEDEC)
DO-204AC
Corrente direta (AV)
1A
Corrente direta [A]
1A
IFSM
30A
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-41 ( DO-204AL )
VRRM
600V
Cj
15pF
Condicionamento
Ammo Pack
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
5uA..100uA
Corrente de pulso máx.
30A
Diodo Trr (mín.)
200 ns
Dirigindo corrente
1A
Embalagem
Ammo Pack
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Família de componentes
Diodo retificador rápido (tr<500ns)
Função
Troca rápida para alta eficiência
Ism [A]
33A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Propriedades do semicondutor
Comutação de alta velocidade
Quantidade por caixa
1
RM (min)
5uA
RM (máx.)
100uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tempo de reação
200ns, 250ns
Tensão de condução (tensão limite)
1.3V
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
600V
Tensão direta Vf (min)
1.2V
Tensão limite Vf (máx.)
1.2V
Tensão limite
1.2V, 1.3V
Tensão reversa máxima
600V
Tipo de diodo
diodo retificador
Tipo de semicondutor
diodo
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
200 ns
[V]
1.2V @ 1A
Produto original do fabricante
Diodes Inc
Quantidade mínima
10

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