Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK2625LS

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2SK2625LS. C (pol.): 700pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 16A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1mA. Marcação na caixa: K2625. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1150pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 415 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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