Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK2632LS

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2SK2632LS. C (pol.): 550pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching Applications. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 1mV. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI-LS. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . ...
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C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 730pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET...
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C (pol.): 730pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High-speed switching--tf = 50ns. Id(im): 6A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 0.1mA. Marcação na caixa: K2129. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Power F-MOS FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 730pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High-speed switching--tf = 50ns. Id(im): 6A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 0.1mA. Marcação na caixa: K2129. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Power F-MOS FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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