2SK4075

2SK4075. C (pol.): 2900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação de alta corrente. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K4075. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 18 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Tecnologia: POWER MOSFET, transistor de efeito de campo. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.