2SK3699-01MR

2SK3699-01MR. C (pol.): 430pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14.8A. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: K3699. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 3.31 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.