2SK904

2SK904. C (pol.): 900pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.