Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A743. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Quantidade por caixa: 1

Quantidade por caixa: 1. Spec info: substituir

Quantidade por caixa: 1

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. FT: 1250 MHz. Corrente do coletor: 20mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: 4502C. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 52A. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Potência: 228W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 1200V

C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUDIO POWER MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. IDss (min): 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Spec info: transistor complementar (par) ALF08P20V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUDIO POWER MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. IDss (min): 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Spec info: transistor complementar (par) ALF08N20V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 630pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 16.8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 22m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21.5 ns. Td(ligado): 3.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 933pF. Custo): 108pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 21 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.3V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 621pF. Custo): 118pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 4.9A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 23.4m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.1 ns. Td(ligado): 4.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 520pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1160pF. Custo): 187pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 17.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 18M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51.7 ns. Td(ligado): 6.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Protegido contra ESD. Proteção GS: sim

C (pol.): 2060pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 7.4A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.7W. On-resistência Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4407A. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2330pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 49.5 ns. Td(ligado): 12.8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 6060pF. Custo): 638pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 33.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0047 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Resistência de portão ultrabaixa. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Função: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P

Tipo de canal: N-P. Função: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P

Tipo de canal: N-P. Função: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOP-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P. Spec info: substituto para MOSFET

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Tecnologia: Transistores MOSFET complementares, canal N e canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Tipo de canal: N-P. Quantidade por caixa: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Tipo de canal: N-P. Função: Modo de Aprimoramento Complementar FET . Idss: 1...5uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16.2/4.8 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Quantidade por caixa: 2. Nota: IDM 30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Tipo de canal: N-P. Função: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)