AO3416

AO3416. C (pol.): 1160pF. Custo): 187pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 17.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 18M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51.7 ns. Td(ligado): 6.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Protegido contra ESD. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.