Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91€ | 1.12€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.06€ |
10 - 24 | 0.82€ | 1.01€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.95€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.92€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.91€ |
250 - 343 | 0.70€ | 0.86€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91€ | 1.12€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.06€ |
10 - 24 | 0.82€ | 1.01€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.95€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.92€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.91€ |
250 - 343 | 0.70€ | 0.86€ |
AO4427. C (pol.): 2330pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 49.5 ns. Td(ligado): 12.8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.
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