Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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ALF08P20V

ALF08P20V
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ALF08P20V. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUDIO POWER MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. IDss (min): 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Spec info: transistor complementar (par) ALF08N20V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.

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ECX10P20

ECX10P20

Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa...
ECX10P20
Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10N20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
ECX10P20
Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10N20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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