AO4714

AO4714. C (pol.): 3760pF. Custo): 682pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.0039 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.