AP40T03GP

AP40T03GP. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. On-resistência Rds On: 25m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 mS. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 19:25.