BC177A
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
| 10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
| 25 - 37 | 0.23€ | 0.28€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
| 10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
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BC177A. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.
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Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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