Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BC368-PHI

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BC368-PHI. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC369. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 00:25.

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Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 63. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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