Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC560CG. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (...
BC560C
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 380. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 380. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC550C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
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