Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BF423

BF423
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BF423. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.05A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF422. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic...
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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
BF421
Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
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