Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 6C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Yangjie Electronic Technology. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: SMD 6C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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