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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859C. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Diodes Inc.. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 12:25.

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