BC859C
| Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.76€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.73€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.69€ |
| Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.76€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.73€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.69€ |
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BC859C. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 07:25.
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