BC857C

Quantidade (Conjunto de 10)	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	0.60€	0.74€
5 - 9	0.57€	0.70€
10 - 24	0.54€	0.66€
25 - 49	0.46€	0.57€
50 - 99	0.44€	0.54€
100 - 149	0.41€	0.50€
150 - 395	0.38€	0.47€

Quantidade (Conjunto de 10)	U.P
1 - 4	0.60€	0.74€
5 - 9	0.57€	0.70€
10 - 24	0.54€	0.66€
25 - 49	0.46€	0.57€
50 - 99	0.44€	0.54€
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Quantidade em estoque : 3949

Conjunto de 10

BC857C. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código CMS 3G . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 07:25.

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