BC856B

Quantidade (Conjunto de 10)	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	0.31€	0.38€
5 - 9	0.29€	0.36€
10 - 24	0.28€	0.34€
25 - 49	0.26€	0.32€
50 - 99	0.25€	0.31€
100 - 149	0.23€	0.28€
150 - 18169	0.22€	0.27€

Quantidade (Conjunto de 10)	U.P
1 - 4	0.31€	0.38€
5 - 9	0.29€	0.36€
10 - 24	0.28€	0.34€
25 - 49	0.26€	0.32€
50 - 99	0.25€	0.31€
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Quantidade em estoque : 181685

Conjunto de 10

BC856B. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.

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