BCX41E6327

BCX41E6327. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Transistor NPN, Aplicações AF e comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: EKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 10:25.