Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD239C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD241C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD242CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD243C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 6A. Potência: 65W. Carcaça: TO-220. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD243C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD244C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 15. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C

Carcaça: TO-220. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -100V. C (pol.): -6A. Custo): 65W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD243C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD246C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD246C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD245C. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD250C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD250C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD250C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 6A. Nota: >750. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Carcaça: SOT-82. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 22V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD438. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)