BD245C-CDIL
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.93€ | 2.37€ |
| 5 - 9 | 1.83€ | 2.25€ |
| 10 - 24 | 1.73€ | 2.13€ |
| 25 - 46 | 1.64€ | 2.02€ |
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| 1 - 4 | 1.93€ | 2.37€ |
| 5 - 9 | 1.83€ | 2.25€ |
| 10 - 24 | 1.73€ | 2.13€ |
| 25 - 46 | 1.64€ | 2.02€ |
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BD245C-CDIL. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD246C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.
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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP34C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP34C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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