Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD436. RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD438. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 05:25.

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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD442
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD437. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD438
Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD437. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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