Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD249C-PMC

BD249C-PMC
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BD249C-PMC. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD250C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-247. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1450. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 125W. Frequência máxima: 3MHz. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C
TIP35C
Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-247. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1450. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 125W. Frequência máxima: 3MHz. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C
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