BD250C-ISC
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.32€ | 2.85€ |
| 5 - 9 | 2.20€ | 2.71€ |
| 10 - 13 | 2.09€ | 2.57€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 4 | 2.32€ | 2.85€ |
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BD250C-ISC. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 20:25.
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 45pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP33C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Spec info: transistor complementar (par) TIP35C
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 45pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP33C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Spec info: transistor complementar (par) TIP35C
BD250C
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Núme...
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Spec info: transistor complementar (par) BD249C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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