Transistores

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV65BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 1000. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BDV64B

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW42G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW47G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 85W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW83C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 7us. Tf(min): 0.9us. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDW84C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Número de terminais: 3. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDW84D

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BDW83C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-93. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-93. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW84D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Número de terminais: 3. Função: hFE 750 (@3V, 6A). Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDW83D

Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Marcação do fabricante: BDW93C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Frequência de corte ft [MHz]: 20 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 80W. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: transistor complementar (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 12A. Potência: 33W. Carcaça: TO-220FP

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW93C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW94C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: transistor complementar (par) BDW93C . Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: transistor complementar (par) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 70W. Frequência máxima: 20MHz. Número de terminais: 3. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDX34C

Resistor B: 10k Ohms. Resistor BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. C (pol.): sim. Custo): -100V. Número de terminais: 3. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDX33C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDX34CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 20W. Frequência máxima: 20MHz. Carcaça: TO-220-F

Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: +150°C. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistores Darlington de potência complementar. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 60W. Frequência máxima: 20MHz. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) BDX54C. Função: amplificador de áudio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Condicionamento: tubo de plástico. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Data de produção: 2014/32. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistores Darlington de potência complementar. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Resistor B: Transistor de potência Darlington . Resistor BE: Transistor Darlington. C (pol.): -100V. Custo): -8A. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) BDX53C. Unidade de condicionamento: 50. Função: amplificador de áudio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: R1 typ. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Transistores Darlington de potência complementar. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDX53F. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Função: hFE 1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Função: hFE 1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDX67C