Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BDV65BG

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BDV65BG. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV65BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 1000. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BDV64B. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 19:25.

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Custo): 60pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: Transistor de potência Darlington . C (pol.): 100V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Custo): 60pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: Transistor de potência Darlington . C (pol.): 100V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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