Transistores

Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1

Custo): 5.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF471. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 50mA. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: VHF/UHF-V. Corrente do coletor: 50mA. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-93

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -250V. Corrente do coletor: -0.5A. Potência: 0.8W. Carcaça: TO-92

Custo): 1.6pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Função: VHF-V. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 30mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 6.5mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 20*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.2V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 21*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 6mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 700 MHz. Função: Oscilador VHF. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 25mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DB. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Corrente do coletor: 0.03A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-39. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-39. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: UHF-V M/O. Corrente do coletor: 25mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Quantidade por caixa: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 1V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: impressão de tela/código SMD

Custo): 1.6pF. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 1W. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 1W. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-202. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W

Material semicondutor: silício. FT: 90MHz. Corrente do coletor: 50mA. Id(im): 300mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 275V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1