Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457

Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457
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1 - 9 0.33€ 0.41€
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Transistor NPN, 0.1A, 160V - BF457. Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Produto original do fabricante Mev. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: ...
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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 300mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
BF459
Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 300mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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