Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BF457

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BF457. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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Custo): 5.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 5.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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