BDV64C-POW

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	6.08€	7.48€
2 - 2	5.77€	7.10€
3 - 4	5.47€	6.73€
5 - 9	5.16€	6.35€
10 - 19	5.04€	6.20€
20 - 21	4.92€	6.05€

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Conjunto de 1

BDV64C-POW. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 19:25.

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