BD646

BD646. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 13:25.