Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD679A. Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.8V. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD680A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Carcaça: TO-126. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD682
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