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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD680A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.8V. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD682. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD682. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V
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