Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4448

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1N4448. VRRM: 100V. Corrente direta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. RoHS: sim. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Cj: 4pF. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 16:25.

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Corrente direta (AV): 300mA. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: 0...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 620mV
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Corrente direta (AV): 300mA. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: 0...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 620mV
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