Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4448

1N4448
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5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 24 0.34€ 0.42€
25 - 49 0.38€ 0.47€
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1N4448. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 0.3A. Ism [A]: 2A. Tensão direta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 0.45A. Tensão limite Vf (máx.): 1V. VRRM: 100V. Produto original do fabricante Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 09:25.

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Corrente direta (AV): 300mA. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 5uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: 0...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 620mV
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