Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD663. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 16:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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