Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD830

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BD830. Material semicondutor: silício. FT: 75 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Carcaça: TO-202. Habitação (conforme ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD829. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.

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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuraçã...
BD140
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
BD140
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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