BDT64C

BDT64C. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDT65C. BE diodo: sim. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 17:25.