Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.73€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.65€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
| 25 - 46 | 1.20€ | 1.48€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.73€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.65€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
| 25 - 46 | 1.20€ | 1.48€ |
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Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245B. Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 02:25.
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Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 21*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 6mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 21*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 6mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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