BF245B
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.73€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.65€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
| 25 - 37 | 1.20€ | 1.48€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.41€ | 1.73€ |
| 5 - 9 | 1.34€ | 1.65€ |
| 10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
| 25 - 37 | 1.20€ | 1.48€ |
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BF245B. C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.
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C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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