Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSN20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 25pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 250pF. Custo): 88pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 8.3W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 6 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP125. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 130pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP135. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 146pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP171P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 276 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP250.115. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 80 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 140 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP295. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 368pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP297. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP316. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Interruptor de alimentação inteligente no lado superior . Equivalentes: ISP452. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AS3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Resistor BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BSP50. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP62. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP89. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP92P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 101 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 104pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.8A. Marcação na caixa: U8. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 60 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tr: 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código CMS U8. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: hFE 50...300. Corrente do coletor: 0.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: serigrafia/código CMS T8. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 90pF. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: AR4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 1000 ns. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tr: 250 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD AR4. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSS110. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.63W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 23pF. Custo): 6pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 600mA. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SAs . Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 11 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20.9pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 40pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C