Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123

Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123
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1 - 1 1.32€ 1.62€
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Transistor de canal N, 100V, SOT23 - BSS123. Transistor de canal N, 100V, SOT23. Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. Carcaça: SOT23. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 150mA. Rds em (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: ±20V. Temperatura operacional: 150°C. Tipo de montagem: SMD. MSL: 1. Produto original do fabricante Nexperia. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 20:25.

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BSS123-ONS

BSS123-ONS

Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=2...
BSS123-ONS
Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. On-resistência Rds On: 6 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Proteção GS: NINCS. Id(im): 680mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V
BSS123-ONS
Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. On-resistência Rds On: 6 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Proteção GS: NINCS. Id(im): 680mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V
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