Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BSS123-ONS

BSS123-ONS
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BSS123-ONS. C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 680mA. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. On-resistência Rds On: 6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 03:25.

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C (pol.): 23pF. Custo): 6pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 600mA. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
BSS123
C (pol.): 23pF. Custo): 6pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 600mA. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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