FDV304P

FDV304P. C (pol.): 63pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.5A. DI (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 304. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 06:25.