FDC642P-F085

FDC642P-F085. C (pol.): 630pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 250uA. Nota: serigrafia/código SMD FDC642P. Marcação na caixa: FDC642P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. On-resistência Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.5 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 06:25.