Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BSR16

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BSR16. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: hFE 50...300. Corrente do coletor: 0.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: serigrafia/código CMS T8. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 07:25.

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Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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