Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS4141N. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150us. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Marcação do fabricante: BTS432E2. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 300us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80us. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220/5. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 5. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS432E2-SMD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 300us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80us. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250us. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: S50010E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-12. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 12:1. Marcação do fabricante: BTS5210L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 250us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-12. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 12:1. Marcação do fabricante: BTS5215L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 250us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS611L1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 400us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 400us. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS6142D. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 600us. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-20. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS721L1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 400us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 400us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Função: Interruptor de alimentação inteligente no lado superior . Saída: 2db N-MOS 43V 5.5A. Número de terminais: 20. On-resistência Rds On: 30 milliOhms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): PG-DSO20. VCC: 5...34V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 2.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 13.5V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 330V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 5.0V. Corrente do coletor: 9A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: adequado para alimentar TVs SONY. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V