Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BU2508AX. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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Custo): 1pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 1pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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