Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.16€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.05€ | 2.52€ |
| 10 - 11 | 1.94€ | 2.39€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 4 | 2.16€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.05€ | 2.52€ |
| 10 - 11 | 1.94€ | 2.39€ |
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Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF. Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 20:25.
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Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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