BU2508AF
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.16€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.05€ | 2.52€ |
| 10 - 24 | 1.94€ | 2.39€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.16€ | 2.66€ |
| 5 - 9 | 2.05€ | 2.52€ |
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BU2508AF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 07:25.
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. ...
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V
FJAF6810A
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do cole...
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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