BSR51

BSR51. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 07:25.