Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84€ | 1.03€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.93€ |
25 - 49 | 0.71€ | 0.87€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.86€ |
100 - 172 | 0.68€ | 0.84€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.84€ | 1.03€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.93€ |
25 - 49 | 0.71€ | 0.87€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.86€ |
100 - 172 | 0.68€ | 0.84€ |
BSP100. C (pol.): 250pF. Custo): 88pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 8.3W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 6 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 30/01/2025, 02:25.
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