BFG591

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1 - 4	2.95€	3.63€
5 - 9	2.80€	3.44€
10 - 24	2.66€	3.27€
25 - 49	2.51€	3.09€
50 - 99	2.45€	3.01€
100 - 143	2.30€	2.83€

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5 - 9	2.80€	3.44€
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Conjunto de 1

BFG591. Custo): 0.7pF. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: Para amplificador de antena VHF/UHF e aplicações de comunicação RF. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 200mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 3V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.

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